FQP13N10 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 12.8 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 65 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.1 x 4.7 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 5 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 20 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 180 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 12 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 345 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -25 В, +25 В, Вес, г: 2.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

FQP13N10 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 141 ₽ за штуку. Купите FQP13N10 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить FQP13N10 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQP13N10 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.