FQD13N10LTM ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 10 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Максимальное рассеяние мощности: 2.5 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 6.1мм, Высота: 2.3мм, Размеры: 6.6 x 6.1 x 2.3мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.6мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 7.5 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 22 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 180 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 8.7 nC @ 5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 400 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Вес, г: 0.01, Бренд: ON Semiconductor

FQD13N10LTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 223 ₽ за штуку. Купите FQD13N10LTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить FQD13N10LTM ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQD13N10LTM вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.