FQD12N20LTM ON Semiconductor
Описание
Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 9 А, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Width: 6.1мм, Высота: 2.3мм, Transistor Material: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.6мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 280 м?, Maximum Drain Source Voltage: 200 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 16 нКл при 5 В, Номер канала: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Вес, г: 0.4, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQD12N20LTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 259 ₽ за штуку. Купите FQD12N20LTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить FQD12N20LTM ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQD12N20LTM вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.