FQB33N10LTM ON Semiconductor
Описание
Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 33 А, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 3,75 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 17 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 70 нс, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 52 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 30 nC @ 5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1250 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQB33N10LTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите FQB33N10LTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить FQB33N10LTM ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQB33N10LTM вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.