FDP51N25 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 51 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 320 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 62 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 98 ns, Серия: UniFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 60 МОм, Максимальное напряжение сток-исток: 250 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 55 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2620 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 2.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDP51N25 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 517 ₽ за штуку. Купите FDP51N25 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить FDP51N25 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FDP51N25 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.