MSD601-RT1G ON Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 200 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 1.09 mm, Длина: 2.9 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT, Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 210, Конфигурация: Single, Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 340, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальный постоянный ток коллектора: 0.1 A, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.5 V, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 V, Непрерывный коллекторный ток: 0.1 A, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: NPN, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: MSD601-R, Технология: Si, Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: SC-59-3, Ширина: 1.5 mm, Вес, г: 0.1, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
MSD601-RT1G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 7 ₽ за штуку. Купите MSD601-RT1G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить MSD601-RT1G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на MSD601-RT1G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.