NGB8206N ON Semiconductor
Описание
NGB8206N - Ignition IGBT 20 A, 350 V, N-channel D2PAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Featuresmonolithic Circuitry Integrating Esd and Over?Voltage Clampedprotection For Use in Inductive Coil Drivers Applications. Primary Usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or Wherever High Voltage Andhigh Current Switching is Required.
NGB8206N – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой за штуку. Купите NGB8206N по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить NGB8206N ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NGB8206N вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.