HUF76423P3 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 33 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 85 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 16.3мм, Размеры: 10.67 x 4.7 x 16.3мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 245 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 32 нс, Серия: UltraFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 38 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 28 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1060 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V, Number of Elements per Chip: 1, Brand: ON Semiconductor, Series: UltraFET, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.7мм, Height: 16.3мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 28 нКл при 10 В, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -16 В, +16 В, Id - непрерывный ток утечки: 35 A, Pd - рассеивание мощности: 85 W, Qg - заряд затвора: 34 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 25 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 16 V, + 16 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 85 ns, Время спада: 76 ns, Другие названия товара №: HUF76423P3_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: UltraFET, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 7 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant with Exemption, Lead Shape: Through Hole, Maximum Continuous Drain Current (A): 35, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 30 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Leakage Current (nA): 100, Maximum Gate Source Voltage (V): ±16, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 3, Maximum IDSS (uA): 1, Maximum Operating Temperature (°C): 175, Maximum Power Dissipation (mW): 85000, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Packaging: Tube, Part Status: Active, PCB changed: 3, PPAP: No, Process Technology: UltraFET, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: TO-220, Supplier Package: TO-220, Typical Fall Time (ns): 76|50, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 28, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 28 10V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 1060 25V, Typical Rise Time (ns): 85|147, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 32|47, Typical Turn-On Delay Time (ns): 7|12, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

HUF76423P3 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите HUF76423P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить HUF76423P3 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HUF76423P3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.