NE5532DR2G ON Semiconductor

Automotive: No, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Manufacturer Type: Low Noise Amplifier, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±20, Maximum Input Bias Current (uA): 0.8±15V, Maximum Input Offset Current (uA): 0.15±15V, Maximum Input Offset Voltage (mV): 4±15V, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Maximum Power Dissipation (mW): 1200, Maximum Supply Current (mA): 16±15V, Minimum CMRR (dB): 70, Minimum CMRR Range (dB): 70 to 71, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±3, Minimum PSRR (dB): 100(Typ), Mounting: Surface Mount, Number of Channels per Chip: 2, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Obsolete, PCB changed: 16, Pin Count: 16, Power Supply Type: Dual, PPAP: No, Shut Down Support: No, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC W, Type: Low Noise Amplifier, Typical Dual Supply Voltage (V): ±5|±9|±12|±15|±18, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 10, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 8±15V, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 2.7±15V, Typical Output Current (mA): 38, Typical Slew Rate (V/us): 9±15V, Typical Voltage Gain (dB): 100, Количество каналов на ИС: 2, Максимальная рабочая температура: +70 °C, Длина: 10.45мм, Типичная скорость нарастания: 9В/мкс, Типичное усиление по напряжению: 100 dB, Производитель: ON Semiconductor, Тип источника питания: Два, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: 0°C, Ширина: 7.6мм, Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 5нВ/?Гц, Rail to Rail: No, Высота: 2.4мм, Число контактов: 16, Размеры: 10.45 x 7.6 x 2.4мм, Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 10МГц, Типичное двойное напряжение питания: ±20V, Тип усилителя: Малошумность, Typical Slew Rate: 9В/мкс, Brand: ON Semiconductor, Height: 2.4мм, Typical Gain Bandwidth Product: 10МГц, Typical Dual Supply Voltage: ±20V, CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 70 dB, en - Интенсивность шума входного напряжения: 8 nV/sqrt Hz, GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 10 MHz, Ib - Входной ток смещения: 800 nA, In - плотность тока шума на входе: 2.7 pA/sqrt Hz, Pd - рассеивание мощности: 1200 mW, PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию: 100 dB, SR - скорость нарастания выходного напряжения: 9 V/us, Vcm - Синфазное напряжение: Negative Rail + 3 V to Positive Rail - 3 V, Vos - Входное напряжение смещения нуля: 4 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Выходной ток на канал: 38 mA, Категория продукта: Операционные усилители, Количество каналов: 2 Channel, Максимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 20 V, Минимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 3 V, Напряжение сдвоенного питания: +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, Отключение: No Shutdown, Подкатегория: Amplifier ICs, Продукт: Operational Amplifiers, Рабочее напряжение питания: +/- 3 V to +/- 20 V, Рабочий ток источника питания: 8 mA, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: NE5532, Технология: Bipolar, Тип питания: Dual, Тип продукта: Op Amps - Operational Amplifiers, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: SOIC-16, Усиление по напряжению, дБ: 100 dB, Бренд: ON Semiconductor

NE5532DR2G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 553 ₽ за штуку. Купите NE5532DR2G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить NE5532DR2G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NE5532DR2G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.