NXH80B120H2Q0SG ON Semiconductor

Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Количество Выводов: 22вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Стиль Корпуса Транзистора: PIM, Рассеиваемая Мощность: 103Вт, Полярность Транзистора: N Канал, DC Ток Коллектора: 40А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.2В, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, IGBT Configuration: PIM Half Bridge Inverter, IGBT Technology: Trench Field Stop, IGBT Termination: Solder, Pd - рассеивание мощности: 103 W, Вид монтажа: Press Fit, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Технология: SiC, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Q0BOOST, Вес, г: 0.1, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

NXH80B120H2Q0SG – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 12 548 ₽ за штуку. Купите NXH80B120H2Q0SG по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить NXH80B120H2Q0SG ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NXH80B120H2Q0SG вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.