NGTG12N60TF1G ON Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 54 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток: 20 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: NGTG12N60TF1G, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3PF-3L, Вес, г: 8, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
NGTG12N60TF1G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 670 ₽ за штуку. Купите NGTG12N60TF1G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить NGTG12N60TF1G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NGTG12N60TF1G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.