HGTG30N60B3D ON Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 208 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 20.82 mm, Длина: 15.87 mm, Другие названия товара №: HGTG30N60B3D_NL, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток: 60 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Серия: HGTG30N60B3D, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 250 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 4.82 mm, Вес, г: 6.78, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

HGTG30N60B3D – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 470 ₽ за штуку. Купите HGTG30N60B3D по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить HGTG30N60B3D ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGTG30N60B3D вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.