FGD3N60UNDF ON Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 60 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 6 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 3 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FGD3N60UNDF, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 10 uA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, DC Ток Коллектора: 6А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 600В, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2В, Рассеиваемая Мощность: 60Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-252(DPAK), Вес, г: 0.2604, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
FGD3N60UNDF – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 412 ₽ за штуку. Купите FGD3N60UNDF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить FGD3N60UNDF ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGD3N60UNDF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.