FGB7N60UNDF ON Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 83 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 14 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 800, Серия: FGB7N60UNDF, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 10 uA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-263AB-3, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 600 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 14 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 83 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Число контактов: 3, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Тип канала: N, Вес, г: 1.312, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

FGB7N60UNDF – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 706 ₽ за штуку. Купите FGB7N60UNDF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить FGB7N60UNDF ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGB7N60UNDF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.