MMBZ15VALT1G ON Semiconductor
Описание
Diode Configuration: 2 сдвоенных с общим катодом, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Защита от электрических разрядов: Yes, Количество элементов на ИС: 2, Длина: 3.04мм, Максимальное напряжение фиксации: 21V, Минимальное пробивное напряжение: 14.25V, Производитель: ON Semiconductor, Максимальный пиковый импульсный ток: 1.9A, Тип корпуса: SOT-23, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 1.4мм, Испытательный ток: 1mA, Максимальное обратное напряжение стабилизации: 12V, Максимальный обратный ток утечки: 50нА, Высота: 1.01mm, Число контактов: 3, Automotive Standard: AEC-Q101, Размеры: 3.04 x 1.4 x 1.01мм, Тип направления: Однонаправленный, Рассеяние пиковой импульсной мощности: 24W, Вес, г: 0.05, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
MMBZ15VALT1G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 39 ₽ за штуку. Купите MMBZ15VALT1G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить MMBZ15VALT1G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на MMBZ15VALT1G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.