PESD5V0S2UAT NXP Semiconductors
Описание
Diode Configuration: Общий катод, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Защита от электрических разрядов: Yes, Количество элементов на ИС: 2, Длина: 3мм, Максимальное напряжение фиксации: 20V, Минимальное пробивное напряжение: 6.4V, Производитель: Nexperia, Максимальный пиковый импульсный ток: 15A, Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Испытательный ток: 5mA, Максимальное обратное напряжение стабилизации: 5V, Максимальный обратный ток утечки: 1мкА, Высота: 1мм, Число контактов: 3, Размеры: 3 x 1.4 x 1мм, Тип направления: Однонаправленный, Рассеяние пиковой импульсной мощности: 260W, Бренд: NXP Semiconductor
PESD5V0S2UAT – артикул товара бренда NXP Semiconductors с розничной ценой 48 ₽ за штуку. Купите PESD5V0S2UAT по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию NXP Semiconductors для наших постоянных клиентов.
Купить PESD5V0S2UAT NXP Semiconductors в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги NXP Semiconductors и уточнить персональную цену на PESD5V0S2UAT вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.