BAT54S NXP Semiconductors
Описание
Diode Configuration: Серия, Максимальная рабочая температура: +125 °C, Количество элементов на ИС: 2, Длина: 3мм, Производитель: Nexperia, Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), Максимальный непрерывный прямой ток: 200mA, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Высота: 1мм, Число контактов: 3, Размеры: 1 x 3 x 1.4мм, Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки: 600mA, Пиковый обратный ток: 2мкА, Тип диода: Диод Шоттки, Пиковое обратное повторяющееся напряжение: 30V, Пиковое время обратного восстановления: 5нс, Diode Technology: Диод Шоттки, If - Forward Current: 200mA, Peak Reverse Voltage: 30V, Vf - Forward Voltage: 800mV @ 100mA, Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech, Package / Case: SOT-23-3, Packaging: Tape и Reel(TR), Кол-во диодов: 1, Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3, Максимальное время обратного восстановления,мкс: 0.005, Максимальное постоянное обратное напряжение,В: 30, Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.: 0.8, Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 2, Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2, Общая емкость Сд,пФ: 10, при Iпр.,А: 0.1, Рабочая температура,С: -65…125, Способ монтажа: SMD, Бренд: NXP Semiconductor
BAT54S – артикул товара бренда NXP Semiconductors с розничной ценой 4 ₽ за штуку. Купите BAT54S по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию NXP Semiconductors для наших постоянных клиентов.
Купить BAT54S NXP Semiconductors в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги NXP Semiconductors и уточнить персональную цену на BAT54S вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.