BSP122,115 Nexperia

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.7мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Nexperia, Maximum Continuous Drain Current: 550 мА, Package Type: SOT-223 (SC-73), Maximum Power Dissipation: 1,5 Вт, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 3.7мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 2V, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.4V, Высота: 1.7мм, Maximum Drain Source Resistance: 2.5 ?, Maximum Drain Source Voltage: 200 V, Pin Count: 4, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 550 mA, Pd - рассеивание мощности: 1.5 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.7 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Длина: 6.7 mm, Другие названия товара №: BSP122 T/R, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single Dual Drain, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-223-3, Ширина: 3.7 mm, Base Product Number: BSP122 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 550mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: SOT-223, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 550mA, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 1.5W, Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5О© @ 750mA,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200V, Vgs - Gate-Source Voltage: 2V @ 1mA, Transistor Mounting: Surface Mount, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 200В, Непрерывный Ток Стока: 750мА, Пороговое Напряжение Vgs: 2В, Рассеиваемая Мощность: 1.5Вт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 1.7Ом, Стиль Корпуса Транзистора: SOT-223, Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный, Вес, г: 1, Бренд: Nexperia B.V.

BSP122,115 – артикул товара бренда Nexperia с розничной ценой 176 ₽ за штуку. Купите BSP122,115 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Nexperia для наших постоянных клиентов.

Купить BSP122,115 Nexperia в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Nexperia и уточнить персональную цену на BSP122,115 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.