Компоненты Mitsubishi Electric (308 товаров)

Купить Компоненты Mitsubishi Electric в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Компоненты Mitsubishi Electric в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Высокочастотные компоненты требуются для большинства устройств связи. При этом требования к работоспособности и устойчивости к помехам. Компания Митсубиси предлагает широкий спектр подобных устройств различных архитектур и сфер применения.

GaN устройства

Быстрое распространение мобильных терминалов, таких как смартфоны и планшеты, потребовало создания земных станций для систем спутниковой связи (SATCOM), которые являются средством высокоскоростной связи в регионах, где географически сложно установить больше базовых станций систем мобильной связи, или для обеспечения экстренной связи и развития наземных сетей связи.

В то время как усилители мощности с использованием Si-транзисторов использовались в каждой из систем, переход на GaN-усилители, которые используют GaN (нитрид галлия) на транзисторах - который, как ожидается, будет более эффективным и будет иметь более высокую выходную мощность, чем Si - набирает обороты. Высокочастотные устройства GaN способствуют прогрессу в системах связи с высокой скоростью и большой емкостью благодаря их высокой эффективности/производительности и обширному ассортименту продукции. 

Линейка продуктов с выходной мощностью 5 Вт / 7 Вт / 9 Вт соответствует различным потребностям в микроячейке BTS. Особенности:

• Достигается высокая эффективности стока 67% с помощью оптимизации GaN-HEMT и транзисторов
• Высокая эффективность позволяет использовать простую систему охлаждения, что способствует уменьшению размеров и снижению энергопотребления BTS
• Соответствие различным потребностям в микроячейке BTS

В 2019 году компания объявила о первом в мире сверхширокополосном с цифровым управлением нитрида галлия (GaN) усилителе, который совместим с ведущим в мире диапазоне суб-6 ГГц сосредоточеном на системах мобильной связи пятого поколения (5G). Ожидается, что при коэффициенте полезного действия более 40% усилитель будет способствовать большой емкости и уменьшит энергопотребление мобильных базовых станций.

Ключевые особенности:

1. Новая модуляция нагрузки обеспечивает широкополосную работу и способствует большой емкости связи.

• В новом сверхширокополосном усилителе GaN с цифровым управлением от Mitsubishi Electric используется усовершенствованная схема модуляции нагрузки с двумя параллельными транзисторами GaN. Схема расширяет полосу частот модуляции нагрузки, что является ключевым фактором для работы усилителя с высокой эффективностью, для широкополосной (1,4–4,8 ГГц) работы.
• Широкополосная работа усилителя поддерживает несколько частотных диапазонов.

2. Цифровое управление обеспечивает высокую эффективность работы и снижает энергопотребление мобильных базовых станций.

• Входные сигналы с цифровым управлением для усилителя реализуют высокоэффективную модуляцию нагрузки свыше 40% на 110% от дробной полосы пропускания. Цифровое управление использует функцию обучения на основе Maisart.
• Повышенная эффективность усилителя помогает снизить энергопотребление мобильных базовых станций.

В том же году была расширена линейка транзисторов с высокой электронной подвижностью на нитриде галлия (GaN-HEMT) для земных станций (SATCOM), чем будет проведено добавление новых Ku-диапазонов (12-18 ГГц) 70 Вт и 100 Вт GaN-HEMT, подходящих для приложений с несколькими несущими. GaN-HEMT модели 70 Вт обеспечивает низкое интермодуляционное искажение третьего порядка (IMD3) с широкой частотой смещения до 400 МГц, что считается самым высоким уровнем в отрасли, в то время как модель GaN HEMT модели 100 Вт сочетает в себе непревзойденную мощность выход с низким IMD3 и частотой смещения до 200 МГц.

Спрос на спутниковое соединение Ku-диапазона и сбор новостей (SNG) быстро растет для поддержки различных регионов во время стихийных бедствий и в сельской местности, где установка оборудования кабельной сети затруднена. Кроме того, высокоскоростное соединение с растущей пропускной способностью увеличило потребности с несколькими несущими, так и с одной. Ожидается, что новые GaN HEMT компании Mitsubishi Electric ускорят реализацию небольших земных станций, а также обеспечат более быстрое соединение с большей пропускной способностью для различных нужд.

Особенности продукта:

1. Лучшая в отрасли широкая частота смещения до 400 МГц для спутниковой связи большой емкости

• Модель MGFK48G3745A использует новую согласующую схему для обеспечения ведущей в отрасли частоты широкого смещения, которая в 80 раз выше, чем у современных моделей, и низкого IMD3 с широкой частотой смещения до 400 МГц для высокоскоростной большой емкости спутниковая связь, в том числе для нескольких несущих.

2. Непревзойденная выходная мощность до 100 Вт будет способствовать уменьшению размеров земных станций SATCOM

• Модель MGFK50G3745A использует оптимизированные схемы согласования транзисторов для обеспечения пиковой выходной мощности 100 Вт и низкого IMD3, чтобы помочь уменьшить размеры земных станций SATCOM за счет уменьшения количества встроенных компонентов.

Встроенный линеаризатор (MGFG5H1503) обеспечивает низкий уровень искажений в передатчиках мощности. Удовлетворение необходимости конфигурации дополнительных усилителей спутниковой земной станции линейкой разнообразных продуктов исключает необходимость оценки функциональности каждого транзистора во время разработки продукта, а также возможности подключения и синтеза, сокращая период разработки.

GaAS устройства

Это высокочастотные устройства GaAs (арсенид галлия), которые являются наиболее подходящими составными полупроводниками для приемников спутникового вещания, приемных устройств и приемников спутниковой. В оборудовании для приема радиоволн со спутников устройства HEMT они используются для усиления слабых сигналов без создания шума.

Компания Mitsubishi Electric добилась снижения уровня шума благодаря усовершенствованиям в структуре устройств, включая миниатюрные длины затворов и структуру упаковки, что способствовало созданию меньших приемников спутникового вещания, а также меньших и более дешевых приемников. Основное применение:

• Спутник прямого вещания (DBS)
• Спутниковая цифровая аудиослужба радио (SDARS)
• Система глобального позиционирования (GPS)
• Автомобильная промышленность и т.д.

Кремниевые приборы 

Радиочастотные устройства Mitsubishi Silicon, являющиеся ключевыми компонентами для усиления мощности на этапе передачи мобильных устройств беспроводной связи в диапазоне высоких частот от нескольких МГц до 1 ГГц, надежно поддерживают сети беспроводного соединения с широким спектром линейки продуктов, таких как мобильное профессиональное радиооборудование для использования в государственных учреждениях, любительское радиооборудование и рынок телематики бортовых транспортных средств.

Гарантия и доставка

Компания Олниса – мультибрендовый поставщик, который работает с производителями промышленной электротехники и различных аксессуаров для модификации и ремонта со всего мира. На сайте можно найти любой товар с полной гарантией на всю представленную продукцию (для некоторой продукции гарантийный период был увеличен до 18 месяцев). Компоненты Mitsubishi Electric для различных устройств (от диодов до массивных генераторов) можно заказать на официальной странице компании.

Компания Олниса является прямым продавцом промышленной электроники от многих именитых производителей. Заказчик может подобрать необходимое оборудование для сравнения среди множества производителей на одном сайте и выбрать наиболее подходящее. Доставка осуществляется по всей России и в страны СНГ. Минимальная стоимость заказа – от 50 евро. Срок доставки заказа – от 1 дня.