APTGT50DDA120T3G Microchip
Описание
Pd - рассеивание мощности: 270 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SP3F-32, Вес, г: 110, Бренд: Microchip Technology
APTGT50DDA120T3G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 27 083 ₽ за штуку. Купите APTGT50DDA120T3G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.
Купить APTGT50DDA120T3G Microchip в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APTGT50DDA120T3G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.