IXTY2N65X2 Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 2 A, Package Type: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 55 W, Mounting Type: Surface Mount, Width: 7.12mm, Forward Transconductance: 1.8s, Height: 2.38mm, Dimensions: 6.73 x 7.12 x 2.38mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.73mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 15 ns, Brand: IXYS, Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns, Series: X2-Class, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Maximum Drain Source Resistance: 2.3 ?, Maximum Drain Source Voltage: 650 V, Pin Count: 3, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 180 pF @ 25 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 V, +30 V, Forward Diode Voltage: 1.4V, Вес, г: 0.314, Бренд: Ixys Corporation

IXTY2N65X2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 635 ₽ за штуку. Купите IXTY2N65X2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXTY2N65X2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTY2N65X2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.