IXTP75N10P Ixys

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 75 A, Тип корпуса: TO-220, Максимальное рассеяние мощности: 360 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Высота: 9.15мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 27 нс, Производитель: IXYS, Типичное время задержки выключения: 66 нс, Серия: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 25 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 74 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2250 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Number of Elements per Chip: 1, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 75 А, Maximum Power Dissipation: 360 Вт, Height: 9.15мм, Maximum Drain Source Resistance: 25 м?, Maximum Drain Source Voltage: 100 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 74 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Вес, г: 2.06, Бренд: Ixys Corporation

IXTP75N10P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 647 ₽ за штуку. Купите IXTP75N10P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXTP75N10P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTP75N10P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.