IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой, 500В, 37А, 300Вт, 200нс Ixys

California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 35A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: ISOPLUS247в„ў, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->, Supplier Device Package: ISOPLUS247в„ў, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Вес, г: 5, Бренд: Ixys Corporation

IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 5 880 ₽ за штуку. Купите IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFR64N50P, Транзистор N-MOSFET, PolarHV™, полевой вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.