IXFP130N10T2 Ixys

California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 130A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GigaMOSв„ў, HiPerFETв„ў, TrenchT2в„ў ->, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXFP130N10T2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 788 ₽ за штуку. Купите IXFP130N10T2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFP130N10T2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFP130N10T2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.