IXFN82N60P Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 72 A, Тип корпуса: SOT-227B, Максимальное рассеяние мощности: 1,04 кВт, Тип монтажа: Panel Mount, Ширина: 25.07мм, Высота: 9.6мм, Размеры: 38.2 x 25.07 x 9.6мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 38.2мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 28 ns, Производитель: IXYS, Типичное время задержки выключения: 79 нс, Серия: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5, Максимальное сопротивление сток-исток: 75 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 4, Типичный заряд затвора при Vgs: 240 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 23000 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 48, Бренд: Ixys Corporation

IXFN82N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 7 479 ₽ за штуку. Купите IXFN82N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFN82N60P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN82N60P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.