IXFN60N80P Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 53 A, Тип корпуса: SOT-227B, Максимальное рассеяние мощности: 1,04 кВт, Тип монтажа: Panel Mount, Ширина: 25.42мм, Высота: 9.6мм, Размеры: 38.23 x 25.42 x 9.6мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 38.23мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 36 ns, Производитель: IXYS, Типичное время задержки выключения: 110 нс, Серия: HiperFET, Polar, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5, Максимальное сопротивление сток-исток: 140 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Число контактов: 4, Типичный заряд затвора при Vgs: 250 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 18000 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 50, Бренд: Ixys Corporation

IXFN60N80P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 129 ₽ за штуку. Купите IXFN60N80P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFN60N80P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN60N80P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.