IXFN210N30P3 Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 38.23mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 192 A, Package Type: SOT-227B, Maximum Power Dissipation: 1.5 kW, Series: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на панель, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 25.07mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 9.6mm, Maximum Drain Source Resistance: 14.5 m?, Maximum Drain Source Voltage: 300 В, Pin Count: 4, Typical Gate Charge @ Vgs: 268 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Вес, г: 40, Бренд: Ixys Corporation

IXFN210N30P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 8 138 ₽ за штуку. Купите IXFN210N30P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFN210N30P3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN210N30P3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.