IXFN110N60P3 Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Длина: 38.23мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 90 А, Package Type: SOT-227B, Maximum Power Dissipation: 1,5 kW, Series: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на панель, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Ширина: 25.07мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Высота: 9.6мм, Maximum Drain Source Resistance: 56 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 4, Typical Gate Charge @ Vgs: 245 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Вес, г: 50, Бренд: Ixys Corporation

IXFN110N60P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 10 949 ₽ за штуку. Купите IXFN110N60P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFN110N60P3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN110N60P3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.