IXFK64N60P Ixys

California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 64A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Вес, г: 12.6, Бренд: Ixys Corporation

IXFK64N60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 904 ₽ за штуку. Купите IXFK64N60P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFK64N60P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFK64N60P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.