IXFH15N100Q3 Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 15 A, Тип корпуса: TO-247, Максимальное рассеяние мощности: 690 Вт, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.3мм, Высота: 16.26мм, Transistor Material: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 16.26мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: IXYS, Series: HiperFET, Q3-Class, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 6.5V, Maximum Drain Source Resistance: 1,05 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 1000 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 64 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Вес, г: 6.12, Бренд: Ixys Corporation

IXFH15N100Q3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 964 ₽ за штуку. Купите IXFH15N100Q3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFH15N100Q3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH15N100Q3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.