IXFA4N100P Ixys

California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->, Supplier Device Package: TO-263 (IXFA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250ВµA, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation

IXFA4N100P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 553 ₽ за штуку. Купите IXFA4N100P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFA4N100P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFA4N100P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.