IXTT75N10L2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 75 A, Pd - рассеивание мощности: 400 W, Qg - заряд затвора: 215 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 21 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 14 ns, Время спада: 15 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 53 S, 35 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTT75N10, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 68 ns, Типичное время задержки при включении: 23 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation

IXTT75N10L2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 975 ₽ за штуку. Купите IXTT75N10L2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXTT75N10L2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTT75N10L2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.