IXTR102N65X2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 54 A, Pd - рассеивание мощности: 330 W, Qg - заряд затвора: 152 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 33 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 28 ns, Время спада: 11 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: Power MOSFET Modules, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип: X2-Class, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 67 ns, Типичное время задержки при включении: 37 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 5, Бренд: Ixys Corporation

IXTR102N65X2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 294 ₽ за штуку. Купите IXTR102N65X2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXTR102N65X2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTR102N65X2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.