IXTA4N65X2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 4 A, Pd - рассеивание мощности: 80 W, Qg - заряд затвора: 8.3 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 850 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 28 ns, Время спада: 25 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.5 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 57 ns, Типичное время задержки при включении: 22 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation

IXTA4N65X2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 365 ₽ за штуку. Купите IXTA4N65X2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXTA4N65X2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTA4N65X2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.