IXFQ60N25X3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 60 A, Pd - рассеивание мощности: 320 W, Qg - заряд затвора: 50 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 19 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 250 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 10 ns, Время спада: 7 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 30 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: X3-Class, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 62 ns, Типичное время задержки при включении: 18 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3P-3, Вес, г: 5.5, Бренд: Ixys Corporation

IXFQ60N25X3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 329 ₽ за штуку. Купите IXFQ60N25X3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFQ60N25X3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFQ60N25X3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.