IXFQ22N60P3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 22 A, Pd - рассеивание мощности: 500 W, Qg - заряд затвора: 38 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 360 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 17 ns, Время спада: 19 ns, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 24 S, 14 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFQ22N60, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3P-3, Вес, г: 5.5, Бренд: Ixys Corporation

IXFQ22N60P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 423 ₽ за штуку. Купите IXFQ22N60P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFQ22N60P3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFQ22N60P3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.