IXFP36N20X3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 36 A, Pd - рассеивание мощности: 170 W, Qg - заряд затвора: 21 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 45 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 30 ns, Время спада: 20 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: HiPerFET, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 54 ns, Типичное время задержки при включении: 19 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXFP36N20X3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 623 ₽ за штуку. Купите IXFP36N20X3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFP36N20X3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFP36N20X3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.