- Олниса
- →
- Производители
- >
- Ixys
- >
- MOSFETs
IXFN32N100Q3 Ixys
Описание
Id - непрерывный ток утечки: 28 A, Pd - рассеивание мощности: 780 W, Qg - заряд затвора: 195 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 320 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Chassis Mount, Время нарастания: 300 ns, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 10, Серия: IXFN32N1003, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227-4, Вес, г: 29, Бренд: Ixys Corporation
IXFN32N100Q3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 11 325 ₽ за штуку. Купите IXFN32N100Q3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFN32N100Q3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFN32N100Q3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.