- Олниса
- →
- Производители
- >
- Ixys
- >
- MOSFETs
IXFH52N50P2 Ixys
Описание
Id - непрерывный ток утечки: 52 A, Pd - рассеивание мощности: 960 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH52N50, Технология: Si, Тип: PolarP2 HiPerFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6.24, Бренд: Ixys Corporation
IXFH52N50P2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 552 ₽ за штуку. Купите IXFH52N50P2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.
Купить IXFH52N50P2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH52N50P2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.