IXFH150N20T Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 150 A, Pd - рассеивание мощности: 890 W, Qg - заряд затвора: 177 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 15 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH150N20, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXFH150N20T – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 210 ₽ за штуку. Купите IXFH150N20T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFH150N20T Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFH150N20T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.