IXFB170N30P Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 170 A, Pd - рассеивание мощности: 1.25 kW, Qg - заряд затвора: 258 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 18 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 29 ns, Время спада: 16 ns, Высота: 26.59 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Коммерческое обозначение: Polar, HiPerFET, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 57 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFB170N30, Технология: Si, Тип: Polar Power MOSFET HiPerFET, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 79 ns, Типичное время задержки при включении: 41 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: PLUS-264-3, Ширина: 5.31 mm, Вес, г: 10, Бренд: Ixys Corporation

IXFB170N30P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 5 374 ₽ за штуку. Купите IXFB170N30P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXFB170N30P Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFB170N30P вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.