IXYN50N170CV1 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 880 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: +175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: -55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1700 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.8 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A, Подкатегория: IGBTs, Производитель: IXYS, Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 10, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка / блок: SOT-227B-4, Упаковка: Tube, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 120A, Current - Collector Pulsed (Icm): 485A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 260nC, HTSUS: 8541.29.0095, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Power - Max: 880W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 255ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: XPTв„ў ->, Supplier Device Package: SOT-227B, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 22ns/236ns, Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700V, Вес, г: 30, Бренд: Ixys Corporation

IXYN50N170CV1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 16 029 ₽ за штуку. Купите IXYN50N170CV1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXYN50N170CV1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXYN50N170CV1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.