IXGK100N170 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 830 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 26.59 mm, Диапазон рабочих температур: - 55 C to + 150 C, Длина: 20.29 mm, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: - 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.7 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 170 A, Непрерывный коллекторный ток: 170 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 600 A, Подкатегория: IGBTs, Производитель: IXYS, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXGK100N170, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка / блок: TO-264-3, Упаковка: Tube, Ширина: 5.31 mm, Вес, г: 10, Бренд: Ixys Corporation

IXGK100N170 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 9 079 ₽ за штуку. Купите IXGK100N170 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXGK100N170 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXGK100N170 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.