IXGH40N120A2 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 360 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.46 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.26 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2 V, Непрерывный коллекторный ток: 75 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 160 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGH40N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, Ширина: 5.3 mm, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation

IXGH40N120A2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 822 ₽ за штуку. Купите IXGH40N120A2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXGH40N120A2 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXGH40N120A2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.