IXGH28N60B3D1 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 190 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 66 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 150 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGH28N60, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation

IXGH28N60B3D1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 423 ₽ за штуку. Купите IXGH28N60B3D1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXGH28N60B3D1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXGH28N60B3D1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.