IXGF32N170 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 200 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.34 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 20.29 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.7 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.7 V, Непрерывный коллекторный ток: 44 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 44 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 200 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXGF32N170, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: ISOPLUS i4-Pak-3, Ширина: 5.21 mm, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXGF32N170 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 7 232 ₽ за штуку. Купите IXGF32N170 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXGF32N170 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXGF32N170 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.