IXBT6N170 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 75 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 5.1 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.05 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: BIMOSFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.7 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.84 V, Непрерывный коллекторный ток: 12 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 12 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 36 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXBT6N170, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, Ширина: 14 mm, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation

IXBT6N170 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 635 ₽ за штуку. Купите IXBT6N170 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.

Купить IXBT6N170 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXBT6N170 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.