IRLML2060TRPBF Infineon

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.2, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25, Корпус: Micro3/SOT23, Крутизна характеристики S,А/В: 1.6, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.5, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 640, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 1,2 А, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 1,25 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Высота: 1.02мм, Размеры: 3.04 x 1.4 x 1.02мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3.04мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 4,9 нс, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 3.7 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 480 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 0,67 нКл при 4,5 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 64 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Maximum Continuous Drain Current (A): 1.2, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 480 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Voltage (V): ±16, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 1250, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Surface Mount, Number of Elements per Chip: 1, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Process Technology: HEXFET, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: SOT-23, Supplier Package: SOT-23, Typical Fall Time (ns): 2.8, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 0.67 4.5V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 64 25V, Typical Rise Time (ns): 3.8, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 3.7, Typical Turn-On Delay Time (ns): 4.9, Transistor Mounting: Surface Mount, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 60В, Непрерывный Ток Стока: 1.2А, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 2.5В, Рассеиваемая Мощность: 1.25Вт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.356Ом, Стиль Корпуса Транзистора: SOT-23, Brand: Infineon, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное пороговое напряжение включения: 2.5V, Минимальное пороговое напряжение включения: 1V, Страна происхождения: PH, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRLML2060TRPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 95 ₽ за штуку. Купите IRLML2060TRPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRLML2060TRPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRLML2060TRPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.