IRFSL7434PBF Infineon

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Maximum Continuous Drain Current: 320 A, Package Type: I2PAK (TO-262), Maximum Power Dissipation: 294 W, Mounting Type: Through Hole, Width: 4.83mm, Forward Transconductance: 211s, Height: 9.65mm, Dimensions: 10.67 x 4.83 x 9.65mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.67mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 24 ns, Brand: Infineon, Typical Turn-Off Delay Time: 115 ns, Series: HEXFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Drain Source Resistance: 1.8 m?, Maximum Drain Source Voltage: 40 V, Pin Count: 3, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 216 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 10820 pF @ 25 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V, Forward Diode Voltage: 1.3V, Максимальная рабочая температура: +175 °C, Длина: 10.67мм, Максимальный непрерывный ток стока: 320 A, Максимальное рассеяние мощности: 294 Вт, Серия: HEXFET, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 4.83мм, Высота: 9.65мм, Максимальное сопротивление сток-исток: 1,8 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 40 В, Типичный заряд затвора при Vgs: 216 нКл при 10 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Вес, г: 1.58, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRFSL7434PBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 541 ₽ за штуку. Купите IRFSL7434PBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.

Купить IRFSL7434PBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRFSL7434PBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.