IRFB23N15DPBF Infineon
Описание
Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 23 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 136 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.69мм, Высота: 19.3мм, Размеры: 10.54 x 4.69 x 19.3мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.54мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 10 нс, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 18 нс, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5.5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 90 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 150 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 37 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1200 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
IRFB23N15DPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите IRFB23N15DPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.
Купить IRFB23N15DPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRFB23N15DPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.